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因需要采样的信号在0.01uA-10uA,低压MOS有没有Ids漏电流在nA...

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楼主
因需要采样的信号在0.01uA-10uA,低压MOS有没有Ids漏电流在nA或者pA级的?

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沙发
| 2019-11-28 14:34 | 只看该作者
采集电流信号为何要求MOS的Ids漏电呢?

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板凳
| 2019-11-28 14:38 | 只看该作者
yanwen217 发表于 2019-11-28 14:34
采集电流信号为何要求MOS的Ids漏电呢?

因为他这电流需要从MOS管经过

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地板
| 2019-11-28 14:52 | 只看该作者
本帖最后由 yanwen217 于 2019-11-28 14:55 编辑
cctv19881023 发表于 2019-11-28 14:38
因为他这电流需要从MOS管经过

这么小的电流,可以用串接采样电阻的方式检测,这个电流即使要流过MOS也没有变化,也就不会有什么影响呀
没明白楼主的设计,或者画个图说明下

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5
| 2019-11-28 15:56 | 只看该作者
没看明白

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6
| 2019-11-28 16:06 | 只看该作者
泄露电流小于nA或pA
这要求1000M到1000000M的关断电阻。比石头还石头。
功率mos是没戏的,内部有寄生二极管,有漏电流。找找集成电路,例如cd4066,或od门的非门,这些半导体工艺可能内部没有寄生二极管。应该比功率mos要好点。

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7
| 2019-11-28 16:35 | 只看该作者
这么小的电流,要先进行I/V转换后进行控制和处理

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8
| 2019-11-28 16:43 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-11-28 16:06
泄露电流小于nA或pA
这要求1000M到1000000M的关断电阻。比石头还石头。
功率mos是没戏的,内部有寄生二极管 ...

指望不上,就是有接近参数的,也没法保证稳定性和一致性。
关键是,我们并不知道他为何需要串联一个开关,在这种微弱信号处理过程中,最忌讳就是加入各种可能带来不确定因素的器件,想想有多少人在微信号处理时候,还是非常简单的就已经折腾的头破血流了,输入那是越简单越干净越好不是?真要切换或者断开、接通,经过信号调理后再处理才是硬道理是吧?

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9
| 2019-11-28 17:52 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-11-28 16:43
指望不上,就是有接近参数的,也没法保证稳定性和一致性。
关键是,我们并不知道他为何需要串联一个开关 ...

肺腑之言。搞技术不仅要学的深,还要学的虚。
学的虚,有高度,有视野,可以灵活转换方案。

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10
| 2019-11-29 08:56 | 只看该作者
本帖最后由 tianxj01 于 2019-11-29 09:01 编辑
叶春勇 发表于 2019-11-28 17:52
肺腑之言。搞技术不仅要学的深,还要学的虚。
学的虚,有高度,有视野,可以灵活转换方案。 ...

记得当初为了提高恒温精度,隧选择了桥式加热并直接当做采样的恒温加热措施,康铜丝和铜丝交叉绕制在桥对角,直接做加热并采样,牵涉到共模抑制比,所以电桥上臂阻值远小于上臂,这样共模电压就低很多,同样因为这个原因直接导致精度需要±1uV级别,而当初没能弄到ICL7650斩波稳零运放,用了一个共模抑制能力比较高的通用运放,并借鉴ICL7650做法,进行斩波稳零处理,用的就是CMOS模拟开关,实际画板怎么做噪音干扰都是一塌糊涂,最后,反复调整了个模拟开关在芯片的位置和出入顺序,找到一个开关泄露最小的顺序,并且在输出进一步采用了同步保持噪音屏蔽手段,并且对斩波方波的边沿全部进行速度限制,这才搞定。
的亏放大器和加热环境处在同一个恒温条件,最后完成的实际效果倒是非常不错。所以,输入越简单越好,则不是什么肺腑之言,是血淋淋的教训啊。

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叶春勇 2019-11-29 10:55 回复TA
斩波稳零运放,自己弄,厉害。 
11
 楼主 | 2019-11-29 09:33 | 只看该作者
yanwen217 发表于 2019-11-28 14:52
这么小的电流,可以用串接采样电阻的方式检测,这个电流即使要流过MOS也没有变化,也就不会有什么影响呀
...

图不能上传的  

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12
 楼主 | 2019-11-29 09:36 | 只看该作者
XZL 发表于 2019-11-28 16:35
这么小的电流,要先进行I/V转换后进行控制和处理

用了一个电阻13.3K 0.1%精度的进行了IV转换   然后经1K电阻送运放正向端   最后是IC内部AD转换

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13
 楼主 | 2019-11-29 09:38 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-11-28 16:43
指望不上,就是有接近参数的,也没法保证稳定性和一致性。
关键是,我们并不知道他为何需要串联一个开关 ...

它这个信号很特殊,是不断的切换0.18V和0.38V施加在反应电极上,

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14
| 2019-11-29 10:26 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2019-11-29 09:38
它这个信号很特殊,是不断的切换0.18V和0.38V施加在反应电极上,

那就上ADG719这款模拟开关,漏电流10pA,全温度最大值5nA

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15
| 2019-11-29 10:36 | 只看该作者
我们就是普通的I/V转换电路,250V能测1G电阻。

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16
| 2019-11-29 14:11 | 只看该作者
不知道对速率有没有要求,ADI的ADG系列和TI的一些低压MUX开关都是pA级别的漏电流,还有一些光耦继电器漏电流也是在1nA以下。

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17
| 2019-11-29 14:25 | 只看该作者
JFET

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18
 楼主 | 2019-12-2 08:57 | 只看该作者
yanwen217 发表于 2019-11-29 10:26
那就上ADG719这款模拟开关,漏电流10pA,全温度最大值5nA

规格书贴出来看看

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19
 楼主 | 2019-12-2 09:01 | 只看该作者
06007507 发表于 2019-11-29 14:11
不知道对速率有没有要求,ADI的ADG系列和TI的一些低压MUX开关都是pA级别的漏电流,还有一些光耦继电器漏电 ...

21-bit ENOB ΣΔADC, 32-bit MCU & 64KB Flash,16-bit Timer A, Timer B(X2), Timer C
? 16-bit PWM 控制器及訊號捕抓功能----------------------这些说的跟速率有关联不?我看IC的规格书没看到有速率这个参数,还是我没找到呢,烦请告知,谢谢

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20
 楼主 | 2019-12-2 09:06 | 只看该作者

(1)MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。
(2)MOSFET对于静电放电(ESD)的抵抗能力较差,因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。
(3)JFET一般是耗尽型的器件,而MOSFET可以有增强型器件。因此,在使用时,JFET的栅极只能外加反向电压,对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型,则输入电压信号较大时也能够正常工作。
(4)JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内,则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。



没提到说漏电流更小啊,还有就是开关的速度也是要考虑的

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